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日本高导电电极钨铜板 日本高导电电极钨铜板 

CuW75钨铜合金简介：
  CuW75钨铜合金是由75%的钨和25%的铜配比组成的棒材，其中25±2%铜，杂质钨为0.5余量。其合金密度可达14.50g/cm3,硬度不低于HB195。电导率约为38IACS%，导热系数200-230（wm/k），热膨胀系数9.0-9.5（10-6K），软化温度不低于900摄氏度。

CuW75钨铜合金性能：
1、配比：75W+25Cu
2、密度：14.5g/cm3
3、导电：38IACS%
4、硬度：>195HB
5、抗弯强度：885

75W25Cu钨铜合金的电击穿测试结果：
75W25Cu钨铜合金   耐电压强度（V/m）  截流值（A）  燃弧时间（ms）
粗晶                5.15x107          3.49          16.92
细晶                6.42x107          3.16          17.43
  从上表的结果来看，细晶CuW75钨铜合金的耐电压强度要高于粗晶CuW75钨铜合金，原因是内电场在75W25Cu钨铜合金的电击穿过程中起着非常重要的作用。CuW75钨铜合金中Cu、W由于费米能级不同，在相界面处电子发生转移，产生接触电势，从而在各相界面处形成内电场。也就是说，内电场的形成伴随着界面两种金属电子的转移，使界面处电子形成新的动态平衡，界面处原有的电子发生变化，根据真空电极穿发生原理，电子结构的变化影响金属表面的电极穿强度。
  当粒径变小时，CuW75钨铜合金的耐电压强度明显变大，说明内电场对不同粒径W粉制备的CuW75钨铜合金的电极穿过程作用不同。由于Cu的逸出功小于W，因此Cu、W颗粒接触后，在界面处Cu颗粒失去电子，产生正电荷，W颗粒得到电子，产生负电荷，则相间内电场的方向由Cu颗粒指向W颗粒。粗晶CuW75钨铜合金中W粉粒径较大，W晶粒尺寸也大，W颗粒分散性降低、连接性减弱，因而晶界较少，所占比例很小，致使真空电击穿时相间内电场对其的作用影响也不大，甚至可以忽略，因此真空电击穿选择性地在Cu相上发生。细晶75W25Cu钨铜合金中W粉粒径减小，W晶粒尺寸变小，Cu相分布也更加均匀，因而相界明显增多，所占比例增大，使得真空电击穿时相间内电场对其的影响作用增强。

CuW75钨铜合金特性：
  CuW75钨铜合金通过对钨和铜元素的合理搭配，使得其力学各项性能更加合理，使用起来也更为方便，对一些小型精密电极加工中的所出现的变形问题给予了很好的解决方案。其次，可将钨铜电极加入一定量的铁，使其可直接吸附在磁性工作台上进行磨削加工，其加工后的表面平整度和光洁度以及尺寸精密度是其他加工难以企及的，在大平面电极的加工中显现的更为突出。

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