IGBT突波吸收电容

双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，

多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。

用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路

材料特性

电容结构: 双层金属化膜，内部串联结构

封装: 阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合（UL94V-0 ）标准.

尺寸: 适合于各种IGBT保护 。（可按客户需求定制特殊规格）

电气特性

电容量: 0.0047 to 6.8μF,参考表格数据

额定电压: 700 to 3000 Vdc

损耗角正切: 测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.

              Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4

绝缘电阻: 3000s，s= MΩ. μF 测试条件 1 minute，100Vdc （25±5℃）

耐电压: 2Ur （DC）测试条件 10s，t 25±5℃，1Min

工作温度: -40~+85℃

以上产品全新*，有现货，直接代理商，有价格优势

深圳市嘉林电子有限公司  林高勤           QQ: