CM200E3U-12H

CM200E3U-12HCM200E3U-12H

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2014-09-05 15:42:13
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深圳市安科半导体科技有限公司

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产品简介

型号:CM200E3U-12H 品牌:三菱 封装:IGBT模块 产地:日本

详细介绍

型号:CM200E3U-12H   品牌:三菱   封装:IGBT模块    产地:日本

主营英飞凌,三菱,富士,东芝,三社,西门子,西门康,IXYS, eupec,等功率模块, 瑞士LEM霍尔传感器、电流传感器、电压传感器;GTR,IGBT,IPM,PIM,ABB,可控硅,整流桥, SAMSUNGTI、NXP、FSCNS 、ON、IR、等IC 二三极管 MOS管,

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT是一个开关,非通即断,如何控制他的通还是断,就是靠的是栅源极的电压,当栅源极加+12V(大于6V,一般取12V15V)IGBT导通,栅源极不加电压或者是加负压时,IGBT关断,加负压就是为了可靠关断。 他没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。 IGBT有三个端子,分别是GDS,在GS两端加上电压后,内部的电子发生转移(半导体材料的特点,这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因),本来是正离子和负离子一一对应,半导体材料呈中性,但是加上电压后,电子在电压的作用下,累积到一边,形成了一层导电沟道,因为电子是可以导电的,变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压,这层导电的沟道就消失了,就不可以导电了,变成了绝缘体。

三菱示意型号:

TM55RZ-M;TM60SA-6;TM60SZ-M;TM90CZ-24;TM90CZ-2H;TM90CZ-H;TM90CZ-M;TM90DZ-24

TM90DZ-2H;TM90DZ-H;TM90DZ-M;TM90EZ-24;TM90EZ-2H;TM90EZ-H;TM90EZ-M;TM90RZ-24;

TM90RZ-2H;TM90RZ-H;TM90RZ-M;TM90SA-6;CM400YE2N-12F  ;CM400YE2P-12F;CM600YE2N-12F  ;CM600YE2P-12F

CM200E3U-12H常用于:

维修,代替,替换,库存,二手,配件,变频配件,电压,电流,德国,进口,求购,厂家,封装,价格, PDF, Datasheet,供应,现货,全新,*,资料品牌,参数,变频器,IGBT ,频率,继电器,

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