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直探头 直探头也称平探头,可发射及接受纵波。直探头主要由压电晶片、阻尼块(吸收块)及保护膜组成。(1)压电晶片 压电晶片的厚度与超声频率成反比。(2)保护膜 直探头为避免晶片与工件直接接触而磨损晶片,在晶片下粘合一层保护膜,有软性保护和硬性保护两种。(3)阻尼块 阻尼块又名吸收块,其作用为降低降低晶片的机械品质系数,吸收声能量。如果没有阻尼块,电振荡脉冲停止时,压电晶片因惯性作用,仍继续振动,加长了超声波的脉冲宽度,使盲区增大,分辨力差。
斜探头 超声波探伤仪斜探头可发射及接收横波。斜探头主要由压电晶片、阻尼块和斜楔块组成。晶片产生纵波,经斜楔倾斜入射到被测工件中,转换为横波。斜楔为有机玻璃,被测工件为钢,斜探头的角度(即入射角)在28°~61°之间时,在钢中可产生横波。斜楔的形状应使声波在斜楔中传播时不得返回晶片,以免出现杂波。直探头在液体中倾斜入射工件时,也能产生横波。
双探头 超声波探伤仪双探头又称组合探头,两块压电晶片装在一个探头架内,一个晶片发射,另一个接收。双探头发射及接收纵波,晶片下的延迟块使声波延迟一段时间后射入工件,这样可探测近表面的缺陷并可提高分辨力。两块晶片有一倾角(一般约3°~18°),两晶片声场重合部分(阴影部分),是探伤灵敏度较高的部位。
单晶直探头
型号 |
频率 |
晶片尺寸 |
近场长度 |
连接端口 | ||
MHz |
mm |
In |
mm |
In | ||
2M10N | 2 | 10 | 0.39 | 8 | 0.3 | LEMO00(C5) |
4M10N | 4 | 10 | 0.39 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
2.5M10N | 2.5 | 10 | 0.39 | 11 | 0.4 | BNC(Q9) |
5M10N | 5 | 10 | 0.39 | 21 | 0.8 | BNC(Q9) |
10M10N | 10 | 10 | 0.39 | 42 | 1.7 | BNC(Q9) |
2M14N | 2 | 14 | 0.55 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
2M14N | 2 | 14 | 0.55 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
2M14N | 2 | 14 | 0.55 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
2M14N | 2 | 14 | 0.55 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
1M20N | 1 | 20 | 0.79 | 17 | 0.7 | LEMO00(C5) |
2M20N | 2 | 20 | 0.79 | 34 | 1.3 | LEMO00(C5) |
4M20N | 4 | 20 | 0.79 | 68 | 2.7 | LEMO00(C5) |
2.5M20N | 2.5 | 20 | 0.79 | 42 | 1.7 | BNC(Q9) |
5M20N | 5 | 20 | 0.79 | 85 | 3.3 | BNC(Q9) |
双晶直探头
型号 |
频率 |
晶片尺寸 |
焦距 | ||
MHz |
mm |
In |
mm |
In | |
2M11FG8 | 2 | Ф11/2 | 0.43 | 8 | 0.3 |
2M12FG10 | 2 | Ф12/2 | 0.7 | 10 | 0.4 |
4M3.5×10FG10 | 4 | 3.5*10 | 0.14*0.39 | 10 | 0.4 |
4M3.5×10FG18 | 4 | 3.5*10 | 0.14*0.39 | 18 | 0.7 |
5M10FG10 | 5 | Ф10/2 | 0.39 | 10 | 0.4 |
2.5M20FG10 | 2.5 | Ф20/2 | 0.79 | 10 | 0.4 |
2.5M20FG15 | 2.5 | Ф20/2 | 0.79 | 15 | 0.6 |
2.5M20FG20 | 2.5 | Ф20/2 | 0.79 | 20 | 0.8 |
2.5M20FG30 | 2.5 | Ф20/2 | 0.79 | 30 | 1.2 |
5M20FG10 | 5 | Ф20/2 | 0.79 | 10 | 0.4 |
5M20FG15 | 5 | Ф20/2 | 0.79 | 15 | 0.6 |
5M20FG20 | 5 | Ф20/2 | 0.79 | 20 | 0.8 |
5M20FG30 | 5 | Ф20/2 | 0.79 | 30 | 1.2 |
单晶斜探头等
袋装探头