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半导体紫外线传感器由硫化锌(ZnS)或氮化镓(GaN)宽禁带半导体材料制备而成,对可见光不敏感,具有体积小、检测紫外线灵敏、低功耗、寿命长的特点,半导体紫外线传感器可检测的紫外线的主要响应区域覆盖了长波紫外线 (UVA, 波段范围400 nm-315 nm) 和中波紫外线 (UVB, 波段范围 315 nm-280 nm ) 的波段范围。
半导体紫外线传感器是一种P-N异质节光电二极管,硫化锌(ZnS)或氮化镓(GaN)宽禁带半导体材料制备而成,这类半导体型紫外传感器不吸收可见光具有很强的可见光抗干扰特性,在检测紫外线时不需附加滤光片来抑制可见光。半导体紫外线传感器器件在受到紫外线照射后能产生一定的电压输出信号,并且输出电压信号与紫外线照射强度成递增关系,因此该传感器可用于户外紫外线强度定性测量,也可用于一些紫外线发生产品的发光效率定性检验。
Zns硫化锌基紫外线传感器,采用硫化锌基(Zns)材料制成的紫外光传感器,其特点是响应精度高,噪声低,灵敏性高,具有的抗可见光/太阳光力,紫外光截止波长可以调节。国际发明,该紫外线传感器产品的技术指标处于水平,与氮化镓紫外线传感器比,它的优点是ZnS(硫化锌)晶片所含的杂质较少,不吸收可见光,对紫外线的探测精度高。
技术参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
工作温度 | Topr | -25-+70 | oC |
储存温度 | Tstg | -40-+70 | oC |
焊接温度 | Tsol | 260 | oC |
功耗(温度≤25oC) | Ps | 150 | mW |
参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 中心值 | 值 | 单位 |
光谱带宽变化范围 | λb | - | 290 | - | 400 | nm |
峰值灵敏度波长 | λP | - | - | 330 | - | nm |
暗光输出电压 | Vdark | 光強=100μW/m2(λP=330nm) | - | 0 | 2 | mv |
灵敏度 | Vs | RL=1MΩ | 3.9 | 4.0 | 4.1 | mu/uvi |
反向击穿电压 | VBR | - | 30 | 40 | 100 | V |
正向电压 | VF | Lf=10mA | 2.6 | 3.0 | 3.5 | V |
总电容 | Ct | f=1MHz | - | 6 | - | pf |
上升时间 | tr | RL=1MΩ CL=1000pf | - | 10 | - | ms |
下降时间 | tf | RL=1MΩ CL=1000pf | - | 50 | - | ms |