PE CVD

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2023-08-03 11:36:16
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产品简介

这款PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术

详细介绍

这款PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点,工艺流程简单。    PECVD小型滑动开启式管式炉系统通过滑动炉体来实现快速的升降温,配置不同的真空系统来达到理想的真空度;同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等的理想选择。
 
主要用途:
 
高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备,生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
 
PECVD技术参数:
 
 

炉体结构
双层炉壳间配有风冷系统,表面温度低;
日本进口高纯氧化铝多晶纤维炉膛,保温性能良好
炉子底部装有一对滑轨,移动平稳
炉子可以手动从一端滑向另一端,实现快速的加热和冷却
炉盖可开启,可以实时观察加热的物料
 
电源
电压:AC220V 50/60Hz;功率:4KW
 
炉管
高纯石英管
尺寸:Φ60*1250mm、Φ80*1250mm、Φ80*1250mm
 
法兰及支撑
SUS304不锈钢法兰,通过用硅橡胶“O”型圈紧密密封
通过KF卡箍完成法兰的连接,放、取物料方便快捷
可调节的法兰支撑架,平衡炉管的受力情况
包含进气、出气、真空抽口针阀,KF密封圈及卡箍组合
 
加热系统
加热元件采用优质合金丝0Cr27Al7Mo2,表面负荷高、经久耐用
加热区长度:300mm
恒温区长度:200mm
工作温度:≤1100℃
温度:1200℃
推荐升温速率:10℃/min
 
温控系统
温度控制采用人工智能调节技术,具有PID调节、自整定功能
30段升降温程序
测温元件:K型热电偶
恒温精度:±1℃
 
供气系统
标准量程:100,200 ,500,1000SCCM; (以氮气标定,除以上标准外量程可选)
准确度:±1.5%
线性:±0.5~1.5%F.S.
重复精度:±0.2%F.S.
响应时间:气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec
工作压差范围:0.1~0.5 MPa
压力:3MPa
接头类型:Φ6,1/4''双卡套不锈钢接头
显示:4位数字显示
流量规格:0~500sccm
流量精度:±1.5%
 
高真空真空系统
机械泵
抽气速率:4L/S
容油量:1.1L
电机功率:400W
极限压强:6×10-2Pa
分子泵
抽气速率:100L/S
极限压强:6×10-6Pa
启动时间:<2min
额定转速:4300转/分
冷却方式:环境温度5-32℃时,风冷;5-40℃时,水冷。
分子泵控制器
电压:220V±22V
启动电流:≤7A
输入频率:47HZ—63HZ
输出功率:≤150W
加速电压:≤40V
加速时间:≤3min
频率(双速):高速705HZ±10HZ       低速430HZ±5HZ
复合真空计
测量路数:2路(电阻规、电离规各1路)
工作模式:手动/自动
电阻规
测量范围:1.0×105Pa~1.0×10-1Pa
有效范围:2.5×103Pa~5.0×10-1Pa
控制范围:2.5×103Pa~5.0×10-1Pa
电离规
可测范围:5.0Pa~1.0×10-5Pa
有效范围:1.0Pa~5.0×10-5Pa
控制范围:1.0Pa~5.0×10-5Pa
规管除气方式:焦耳去气
 
射频电源系统
输出功率:5-500W 
功率稳定度:±0.1%
射频电源频率:13.56MHz 稳定性±0.005% 
反向功率:200W      
射频接口:       50 Ω, N-type
冷却:风冷
电源:AC187-253V 50/60Hz
输入功率:1KW  AC 220V
 

 
 
 
 
 
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