HG021N10L电弧打火机100vMOS 打火猛低内阻25N10贴片MOS管 低开启电压 温升低HG021N10L
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100V 25A TO-252 打火机贴片MOS管 中低压MOS管【惠海半导体直销】低开启1.4V
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100VMOS电弧打火机MOS管100V30A HC030N10L TO-252 低开启电压 低内阻
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30N10【惠海半导体直销】100V30A TO-252 低开启电压 N沟道 MOS管打火机专用
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100V耐压mos管-打火机贴片mos管TO-252封装低开启电压1.5V【火苗粗打火时间长】
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电弧打火机用MOS HG021N10L 100V 25A TO-252 N沟道 贴片MOS惠海半导体
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电弧打火机MOS管100V25A 25N10低开启电压1.4v场效应管TO-252温度低/打火猛
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100V25A TO-252 低开启电压1.4V低结电容电弧打火机专用场效应管25N10惠海半导体
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100V 25A TO-252 打火机贴片MOS管 中低压MOS管【惠海半导体直销】低开启1.4V
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100V电弧打火机场效应管25N10低结电容低内阻 惠海原厂直销HG021N10L 低开启1.4V
面议| 型号： | HG021N10L | 品牌： | 惠海半导体 |
| 封装： | TO-252 | 类型： | NMOS |
| 耐压： | 100V | 开启电压： | 1.4v |
| 结电容： | 839PF | 电流： | 25A |
| 内阻Rdson@4.5V： | 25mR | 应用领域： | 车灯照明、电弧打火机 |
惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售，性价比高，量产稳定成熟，提供方案及技术支持。
场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路；某次场效应管的开关速度比较迅速，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应；另外场效应管没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低，还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用，在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。
惠海半导体MOS管采用SGT工艺，性能*，品质好，具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。
【免费提供方案及技术支持，免费提供样品测试~】
MOS管型号：HG021N10L-A
参数：100V25A（25N10）
内阻：25mR（VGS=10V）
结电容：839pF
类型：SGT工艺NMOS
开启电压：1.4V
封装：TO-252
【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等
【惠海MOS管常规型号】17N06 30N06 50N06 70N03 50N03 30N03 5N10 10N10 17N10 25N10 3400
【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管 3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管 SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos管
