光敏三极管PT850-F5

PT850-F5光敏三极管PT850-F5

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-03-05 19:39:13
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深圳市芯华利实业有限公司

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产品简介

特征Features响应时间快(Fastresponsetimes)高光敏性(Highphotosensitivity)小结电容(Smalljunctioncapacitance)替代传统CDS光敏电阻

详细介绍

特征Features

响应时间快(Fast response times)

高光敏性(High photo sensitivity)

小结电容(Small junction capacitance)

替代传统CDS光敏电阻,不含镉、铅等有害物质,符合欧盟ROHS标准(Instead of the traditional CDS photosensitive resistance, contain cadmium, lead and hazardous substances, ROHS compliant)。用于光控类产品,控制昼夜切换(For optical control products, control day and night switching)。


额定值AbsoluteMaximumRatings (Ta= 25℃)

参数

Parameter

符号

Symbol

额定值

Rating

单位

Units

工作电压

Supply input Voltage

VCC

12

V

工作环境温度

Operating Temperature

Topr

-25~+85

储存环境温度

Storage Temperature

Tstg

-40~+100

焊接温度

Lead Soldering Temperature

Tsol

260

25℃或低于 25℃环境下功耗Power Dissipation at(or below)25℃ Free Air Temperature

PC

70

mW


光电特性Electro-Optical characteristics(Ta=25℃)

参数

Parameter

符号Symbol

条件Condition

最小值Min.

中间值Typ.

值Max.

单位Units

集电极发射极击穿电压Collector-Emitter Breakdown Voltage

BVCEO

Ic=100μA

Ee=0mW/cm2

30

---

70

V

发射极集电极击穿电压Emitter-Collector Breakdown Voltage

VECO

IE=100μA

Ee=0mW/cm2

5

---

---

V

集电极发射极饱和电压Collector-Emitter Saturation Voltage

VCE(sta)

Ic=2mA

Ee=1mW/cm2

---

---

0.4

V

启动延时Rise time

Tr

VCE=5V

Ic=1mA

RL=1000Ω

---

15

---

μS

关闭延时Fall Time

Tf

---

15

---



暗电流Collector Dark Current

ICEO

Ev=0mW/cm2

VCE=20V

---

---

100

nA

亮电流On StatCollector Current

IC(on)

Ev=10lux 590nmVCE=5v

7

---

8

uA

接收峰值光谱

Wavelength of Peak Sensitivity

λρ

---

400

850

1100

nm

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