·技术优势

传感芯片采用高精度硅技术，精度 ±0.075% /±0.01%

双过载保护膜片设计，单向过压可达40MPa

优异的高静压性能，静压误差可控制在±0.05%/10MPa以内

量程比100:1

EMC符合GB/T 18268.1-2008

技术参数

测量范围（未迁移）2 kPa40MPa

环境温度-40℃ +85℃

介质温度-30℃ +250℃

温度影响量-20℃~65℃时总影响量;

±（0.3×TD+0.1）×Span

准确度等级±0.05% / ±0.1%

长期漂移±0.1%×Span/5年

组态属性 线性/ 平方根/ 自由编程

外壳材质铝合金表面喷涂环氧树脂

外壳防护等级IP67

本安防爆Nepsi Exia IICT4

防爆Nepsi Exd IICT4

过程连接材质 不锈钢 316L