背压硅电路模组

背压硅电路模组

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2024-04-10 16:44:59
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无锡胜脉电子有限公司

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产品简介

背压硅电路模组描述无锡胜脉电子有限公司的陶瓷封装差压模组CPD系列是由硅差压传感器和MCU构成的电路模组,封装在11*11mm的Al2O3陶瓷基板上

详细介绍

背压硅电路模组

 

描述

无锡胜脉电子有限公司的陶瓷封装差压模组CPD系列是由硅差压传感器和MCU构成的电路模组,封装在11*11mm的Al2O3陶瓷基板上。采用溅射薄膜工艺制成的镍钯金镀层,保证了点的打线可靠性。不同于正面封装的硅绝压传感器,差压传感器背部受压,正面打线,具有的介质兼容性。模块以供电电压为参考,产生经过放大、校验、温度补偿后的电压信号,与输入压力呈线性关系。供电电压为5±0.25V,典型电流为2.3mA.输入表压0KPa~1000KPa,输出为0.5~4.5V。在-20~85℃范围2%FS误差。

此传感器芯片可根据客户要求定制输入输出参数。

 

                        

电路示意图

特点

  1. 综合精度可达1%
  2. 温度补偿范围-40125℃。
  3. 小尺寸,11*11mm,
  4. 介质兼容性好,可用于气体、水、油环境
  5. 管脚、打线均在反面,与测量介质隔离,可靠性高

应用

  1. 汽车压力传感器
  2. 家用电器
  3. 医疗电子
  4. 工业控制

 

 

 

 

工作特性  

VS=5V DCTA=25℃, 除非另外说明)

特性

符号

最小

典型

单位

压力范围

Pop

0

---

1000

kPa

工作电压

VS

4.5

5

5.5

Vdc

工作电流

IO

---

2

3

mAdc

最小压力偏移   (0 to 85℃)@ VS=5V

VOff

0.440

0.500

0.560

Vdc

满量程输出     (0 to 85℃)@ VS=5V

VFSO

4.440

4.500

4.560

Vdc

满量程跨度     (0 to 85℃)@ VS=5V

VFSS

3.880

4.000

4.120

Vdc

精度           (0 to 85℃)

---

---

---

±

1.0

% VFSS

灵敏度

V/P

---

4

---

mV/kPa

响应时间

tR

---

1.0

 ---

mS

预处理时间

---

---

10

---

mS

偏移稳定性

---

---

±0.5

---

% VFSS

上电时间

tpon

---

---

100

mS

             

 

极限参数

2. 额定值

参数名

符号

单位

压力

PMAX

3000

kPa

电压

Vmax

-0.3 to 10

Vdc

电流(Vmax = 10V

Imax

10

mAdc

ESD保护(MIL 883, Method 3015.7.)

 

±4

kV

存储温度

TSTG

-50 to 135

工作温度

TA

-40 to 125

输出电流

IO+

0.5

mAdc

输入电流

IO-

-0.5

mAdc

 

CPD-0110-SP

    结构件CPD-0110-SP是在CPD-0110基础上,增加了上下保护盖,并增加了一块电路板,以满足客户电气要求、装配要求。

      

 

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