闭环霍尔电流传感器-WHB-XN15D4

（XN产品为霍尔闭环原理制成的电流传感器，其自身采用被测母牌封装的形式进行测量和工作，磁路采用了双环路结构，有着体积小，精度高，一致性好的优点，广泛用于变频，伺服等领域;安装结构为PCB安装方式）

霍尔效应是霍尔技术应用的理论基础，当通有小电流的半导体薄片置于磁场中时，半导体内的载流子受洛伦兹力的作用发生偏转，使半导体两侧产生电势差，该电势差即为霍尔电压VH，VH与磁感应强度B及控制电流IC正比，经过理论推算有式（

1）关系。VH=（RH/d）×B×IC（1）式中：B为磁感应强度；IC为控制电流；RH为霍尔系数；d为半导体厚度。式（1）中，若保持控制电流IC不变，在一定条件下，可通过测量霍尔电压推算出磁感应强度的大小，由此建立了磁场与电压信号的联系。根据这一关系式，人们研制出了用于测量磁场的半导体器件，即霍尔器件。

闭环霍尔电流传感器-WHB-SY15D4

（SY产品为霍尔闭环原理制成的电流传感器，其自身采用被测母牌封装的形式进行测量和工作，磁路采用了双环路结构，有着体积小，精度高，一致性好的优点，双电源工作方式，被测电流01~50A不等，广泛用于变频，伺服等领域,自身采用聚氨酯进行灌封保护;安装结构为PCB安装方式）

（SY产品为霍尔闭环原理制成的电流传感器，其自身采用被测母牌封装的形式进行测量和工作，磁路采用了双环路结构，有着体积小，精度高，一致性好的优点，双电源工作方式，被测电流01~50A不等，广泛用于变频，伺服等领域,自身采用聚氨酯进行灌封保护;安装结构为PCB安装方式）

自1879年美国物理学家Edwin Herbert Hall发现霍尔效应以来，霍尔技术被越来越多地应用于工业控制的各个领域。随着元器件工艺技术的发展，由霍尔器件应用开发的霍尔电流、电压传感器的性能也有了很大提高，特别是闭环霍尔电流、电压传感器的研制成功，大大地扩展了该项技术的应用领域。

闭环电流传感器，固定式安装，穿孔测量主要应用于光伏逆变器、风电变流器、高压传动变频器、UPS电源、铁路信号控制、智能电网等众多闭环电路检测系统中。