工作压力对等离子清洁效果的干扰：

　　工作压力是等离子清洁的重要参数之一。压力的提升意味着等离子密度的提升和粒子平均能量的减低。化学反应主 导的等离子密度的提升可以显著提高等离子系统的清洁速度，而物理轰击主 导的等离子清洁系统效果并不明显。此外，压力的变化可能会致使等离子清洁反应机制的变化。例如，硅片刻蚀过程中使用的CF4/O2等离子在压力较低时发挥主 导作用，伴随着压力的提升，化学刻蚀不断增强，并逐渐发挥主 导作用。

　　电源功率和工作频率对等离子清洁效果的干扰:

　　电源的输出功率对等离子的所有参数都有干扰，如电*温度、等离子产生的自偏压和清洁效率。伴随着输出功率的提升，等离子的清洁速度逐渐提升，并逐渐稳定在峰值，而自偏压则伴随着输出功率的提升而提升。由于输出功率范围基本恒定，工作频率是干扰等离子自偏压的关键参数，伴随着工作频率的提升，自偏压逐渐下降。此外，伴随着工作频率的提升，等离子中电子的密度会逐渐提升，粒子的平均能量也会逐渐下降。

　　运转的气体的选择对等离子清洁效果的干扰是等离子清洁工艺技术的关键步骤。虽然大多数的气体或的气体混合物可以去除污染物，但清洁速度可以相距好几倍甚至数十倍。