产品介绍

在性的能源短缺和环境恶化问题日益严重的今天，以IGBT为代表的功率半导体器件以优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、智能家电、交流电机等领域。在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时，IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高，较大的电压变化率和电流变化率所引起的电压和电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降，同时也会带来大量的电磁污染。因此，正确选择IGBT模块并对其工作环境进行合理的设计可以大大减轻如电气寄生参数治理、热分布管理以及EMI等工作量，不仅能提高产品的可靠性，同时也可以缩短产品的研发周期。半导体厂商所提供的器件数据手册对设计者有一定的参考价值，但是由于其测试数据本身的不可重复性，使得特定工作环境（环路寄生参数、驱动条件、环境温度等）下的IGBT器件的工作状态难以准确的预测，从而导致器件的实际应用效果与设计之间存在偏差，进而影响整个变换器系统的性能。

通过合理的IGBT测试技术，可以得到电路参数对器件特性的影响，如封装和电路的寄生参数、工作电压、电流、栅极驱动、温度等，进而获取能够充分反映模块特性的数据并用于IGBT行为模型的建立。基于大量测试数据建立起来的行为模型能够较为准确地进行开关损耗、电气应力等方面的预测，对提高变流器效率、指导电力电子装置的热设计、对整体装置进行寿命预测以及考量工作环境适应性等具有重要的意义。所以IGBT特性测试成为电力电子领域的一个研究热点。

本公司研制的大功率IGBT测试平台，能对IGBT进行双脉冲测试、浪涌电流测试、短路测试（包括三类短路试验）、短路失效测试，能对IGBT的反并联二极管进行10ms、20ms等脉宽的半正弦浪涌电流测试等。