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产品介绍
n 本公司研发的程控大电流发生装置内部采用PWM高频开关电源,采用进口IGBT模块,电源具有高效能、高精度、高响应速度、高稳定性等特点。可真实模拟短路时的各种电流波形。
n 其核心控制硬件采用1G主频DSP的高速控制器,高速数字控制相对模拟控制有更高的速度,同时还不受器件分布参数与老化的影响,抗干扰能力更强,功耗更低,工作更稳定。
使用环境
n 海拔高度:海拔不超过1500m
n 温度:存储环境温度-20℃~60℃;
n 工作环境温度:-5℃~40℃;
n 湿度:20%RH至90%RH(无凝露,湿球温度计温度:40℃以下)
n 震动:抗地震能力按7级设防,地面抗震动能力≤0.5g;
n 防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;
应用领域
n 应用于半导体器件测试、直流断路器和换流阀等的短路测试等;
n 科研单位、实验室和半导体器件制造商等;
技术参数
交流输入
| 相数 | 三相三线 |
电压 | 380V±10% VLL ;10kV±10% VLL | |
频率 | 50/60Hz | |
功率因数 | 0.95 | |
输入容量 | 0~1500kVA(内置储能单元,需要的容量可更小) | |
电流输出 | 电流范围 | 0~30kA |
电流上升和下降时间 | 1mS(0~90%) | |
输出电压范围 | 0~300V(特殊需求,可超过此电压,到1kV) | |
隔离电压 | 100kV(须另配可控硅或二极管堆) | |
输出波形 | 程序可编辑(频率带宽10kHz) | |
电流方向 | 内置储能时单双向可选(即正负可选) | |
整机特性 | ||
保护 | 过流 Over Current 过温 Over Temp 过载 Over Load 短路 Short Circuit | |
隔离电压 | 可选(高电压时需另配隔离可控硅阀等) | |
直流储能部分 | 可选(短时大电流发生器建议配置储能) | |
冷却方式 | 强迫风冷/水冷 | |
噪音 | <65dB | |
运行环境 | -10-45℃ 20-80%RH(无凝露) |